開発推進エンジニア/プロセス領域(レーザアニール装置)/横須賀勤務

■職務概要： 半導体プロセスにおける熱処理技術を基盤として、レーザアニール装置の開発活動を技術面で推進いただく役割を担っていただきます。また、同部署の関係者（機械・電気・制御・光学・プロセス）と連携して装置を作り上げつつ、ご自身もいずれかの技術領域を担当いただく予定です。当社の技術を深く理解し、部内関係者と協力しながら開発を前に進めるポジションです。 1.市場動向に基づく開発内容の策定 顧客訪問や半導体プロセス研究部署との連携等を通じて、顧客・市場要求を把握し、レーザアニールプロセス起点で装置開発のテーマおよび方向性を策定いただきます。 2.開発工程のリーディング(商品企画/要素開発・設計/試作/試験・評価/フィードバック) 策定した開発テーマに合わせて、各設計者と連携しながら次世代装置の企画、各機構の要素開発・設計、評価・試験といった一連の開発活動をリードいただきます。 また、顧客ごとの要望に合わせて社内のデモ機を用いたサンプル処理を実施し、その結果から更なる改善案の立案・関係者への展開を実施いただきます。リリース後の不具合や改善要求の内容から、開発課題のとりまとめおよび各所への展開といった役割もございます。 ■入社後の各在籍年次における、おおよその業務目安 ＜入社直後～2年程度＞ ご入社後はまず愛媛事業所にて約1～2週間当社装置のトレーニングを受けていただき、その後に横須賀事業所に配属となります。 配属後は、当社開発部の業務フローや会社のルールを学びつつ、レーザアニールのサンプル処理などを通じて装置のオペレーションも習得いただきます。開発推進担当として、レーザアニールプロセス条件を軸に商品企画・技術開発・設計・改善活動の一連の工程をリードいただきます。 ＜3～5年目以降＞ ご本人の能力・ご志向によってはプロセス技術×光学設計、プロセス技術×機械設計といった開発・設計寄りのミッションをお任せする可能性もございます。専門技術のエキスパートとして活躍いただく道もあれば、チームリーダーとしてプロダクトおよび組織をマネジメントする選択肢もあるため、幅広い選択肢の中でご活躍いただくことを想定しています。

近年、国内外で半導体の新技術開発や増産に向けた工場建設が活発化しており、当社のレーザアニール装置は、特に新素材の開発・量産が加速するパワー半導体分野で高い需要が寄せられています。 また、今後はメモリやロジック分野における装置開発の強化ニーズも見込まれていることから、半導体製造プロセスから装置に関する課題解決力の強化を目指し、組織力向上を図る増員となります。

サマリー:一貫した自主体制を基盤に、半導体製造装置（イオン注入装置）の開発・製造・ 販売、及びサービス 主力製品・サービス:【商品】高電流、中電流、高エネルギーイオン注入装置 国内シェア約85%:国内1位　世界シェア2位 収益モデル:一貫した自主体制を基盤に、半導体製造装置を開発販売 主要顧客:国内、海外の大手半導体メーカー 売上高 (2019-03-01年度):23,498百万円

書類選考 　↓ 1次面接 　↓ 2次面接 　↓ 最終面接 ※選考回数、内容は変更になる場合もあります。